碳化硅走向 8 英寸：衬底供应变了什么

4H-SiC 从 6 英寸走向 8 英寸，切片本身没有变简单，而是切片之后的每一步都更不容出错。弯曲的绝对值不变，跨的直径却更大，光刻直接受影响。

厚度也在承压：器件希望漂移层更薄，衬底就要承担更多机械职责，而规格又要求它更平、每平方厘米更便宜。

对衬底供应商来说，竞争焦点转向检测与过程控制：弯曲、翘曲、TTV 与缺陷图按片报告，而不是按批。切片是必要而不充分的条件。

我们报碳化硅时把 TTV、弯曲、翘曲按下单逐项约定，原因就在这里：8 英寸片只给一个公开数字，要么过于乐观，要么毫无意义。